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▲全新的S1-1054/2絕緣電阻測(cè)試儀是MEGGER特別設(shè)計(jì), 用來(lái)測(cè)試和維護(hù)高壓設(shè)備的很好儀器。
▲IEEE43-2000推薦使用者可以使用S1-1054/2來(lái)測(cè)試額定超過(guò)12KV的電動(dòng)機(jī)的繞組充分。
▲雙路電源輸入設(shè)計(jì)：可充電電池或主電源輸入。儀器可由220V電源供電集聚，也可以由儀器內(nèi)置可以充電電池供電優化服務策略。這樣有一個(gè)好處就是要測(cè)試的場(chǎng)所不清楚是否有電源或者測(cè)試周期不清楚的時(shí)候，都可以來(lái)進(jìn)行測(cè)試發展基礎。
▲數(shù)字/模擬雙顯示測(cè)試結(jié)果
▲測(cè)試電壓由 50V至10KV 可調(diào)
測(cè)試電壓在 50V-1000V 的范圍里以10V（步進(jìn)）微調(diào)兩個角度入手，1000V-10000V的范圍里以25V（步進(jìn)）微調(diào)。
▲絕緣電阻測(cè)量測(cè)試范圍擴(kuò)展為35TΩ,用于對(duì)高質(zhì)量絕緣材料的絕緣趨勢(shì)分析等同期。
▲短路電流：5mA
▲測(cè)試電流范圍：0.01mA~5mA
▲抗干擾：4mA rms
▲全新設(shè)計(jì)的背光LCD顯示屏使操作者在陽(yáng)光下或者光線很暗的情況下輕松讀出數(shù)據(jù)探索。
▲絕緣電阻測(cè)試儀顯示的信息：絕緣阻值，實(shí)時(shí)測(cè)試電壓產業，泄漏電流滿意度，等效電容，電池狀態(tài)和時(shí)間常數(shù)可持續。同時(shí)主要抓手，每次測(cè)試時(shí)LCD上還會(huì)顯示已測(cè)試時(shí)間，這就不需要在測(cè)試時(shí)額外計(jì)時(shí)構建。
▲絕緣電阻測(cè)試儀內(nèi)置了多個(gè)計(jì)時(shí)器創新科技，還具備絕緣測(cè)試設(shè)限告警功能。
▲儀器上還帶有一個(gè)接地端子共創輝煌，使儀器能提高其精性具有重要意義。
▲儀器的標(biāo)號(hào)分別標(biāo)在儀器的頂部和旁邊，方便儲(chǔ)存或者運(yùn)輸?shù)臅r(shí)候辨認(rèn)大部分。
▲儀器的控制的操作都清楚的寫(xiě)在儀器隨機(jī)器附帶的說(shuō)明書(shū)里面強大的功能。
S1-1054/2絕緣電阻測(cè)試儀產(chǎn)品功能：
內(nèi)置多種自動(dòng)測(cè)試程序：
▲IR 絕緣電阻測(cè)試、
▲DAR 吸收比測(cè)試 （介電吸收率）解決方案、
▲PI 很化指數(shù)測(cè)試優勢、
▲SV 步進(jìn)電壓（跨步電壓）測(cè)試
▲DD 測(cè)試 （介質(zhì)放電））
▲測(cè)試上限擴(kuò)展：35TΩ
▲提供USB與RS232接口下載數(shù)據(jù)
▲儀器內(nèi)置32KB存儲(chǔ)器可保存測(cè)試結(jié)果：電壓，測(cè)試時(shí)間，泄漏電流便利性，阻抗重要的作用，電容，PI, DAR, DD
S1-1054/2絕緣電阻測(cè)試儀技術(shù)指標(biāo)
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輸入電壓 |
95-240 V 50Hz |
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電池壽命 |
在10 kV測(cè)試電壓下連續(xù)工作4小時(shí) |
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測(cè)試電壓（DC） |
50 V 到 1 kV 以10V為步進(jìn)電壓, |
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1 kV 到 10 kV 以25V為步進(jìn)電壓 |
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精度 |
±5% 在 1 TΩ范圍內(nèi) |
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（23°C） |
±20% 在 20 TΩ范圍內(nèi) |
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輸出電流 |
5mA |
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充電時(shí)間 |
在 5mA / 10 kV狀態(tài)下充電時(shí)間≤ 3 s / μF |
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放電時(shí)間 |
放電從10000 V 到 50 V≤ 250ms/μF |
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電容測(cè)量 |
10 nF 到 50 μF （取決于測(cè)試電壓） |
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電容測(cè)量精度 |
±5% ±5 nF |
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（23°C） |
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電壓輸出精度 |
基本測(cè)試電壓的 +4% @ 1GΩ |
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（0°C-30°C） |
±25V非標(biāo)測(cè)試電壓（<500V） |
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測(cè)試電流范圍 |
0.01 mA 到 5 mA |
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測(cè)量電流精度 |
±5% ±0.2 mA |
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（23°C） |
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顯示 |
3位數(shù)字/模擬顯示 |
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抗干擾 |
4mA rms @ 200 V |
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定時(shí)器范圍 |
很高定時(shí)間99:59 |
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內(nèi)存容量 |
32KB |
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其它測(cè)試性能 |
IR規模最大、 PI穩中求進、 DAR、SV 最深厚的底氣、 DD |
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傳輸接口 |
RS232 和 USB |
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數(shù)據(jù)存儲(chǔ) |
電壓協同控製，測(cè)試時(shí)間，泄漏電流品質，阻抗利用好，電容，PI, DAR, DD |
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實(shí)時(shí)輸出 |
能連續(xù)不斷的輸出測(cè)試電壓解決問題，電流和阻抗 |
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外形尺寸 |
305 mm ×194 mm ×360 mm |
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重量 |
約7．1公斤 |
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產(chǎn)品持有證書(shū) |
CE |
備注：以上所列產(chǎn)品技術(shù)指標(biāo)及參數(shù)僅供參考系列，實(shí)際指標(biāo)及參數(shù)以廠商產(chǎn)品技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)為準(zhǔn)。
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絕緣電阻測(cè)試儀測(cè)試指標(biāo)名詞解釋 |
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（PI） |
很化指數(shù)測(cè)試 |
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很化指數(shù)：在同一次試驗(yàn)中的有效手段，10min時(shí)的絕緣電阻值與1min時(shí)的絕緣電阻值之比統籌推進。 |
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（DAR） |
感應(yīng)吸收比（誘電吸收比）測(cè)試 |
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吸收比：在同一次試驗(yàn)中，60s時(shí)的絕緣電阻值與15s時(shí)的絕緣電阻值之比關鍵技術。 |
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（SV） |
步進(jìn)電壓測(cè)試 |
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（DD） |
介質(zhì)放電（誘電體放電） |
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絕緣電阻,吸收比,很化指數(shù)之間的關(guān)系 |
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當(dāng)說(shuō)吸收比時(shí)了解情況，應(yīng)該說(shuō)到絕緣電阻很化指數(shù) |
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絕緣電阻 |
在絕緣結(jié)構(gòu)的兩個(gè)電很之間施加的直流電壓值與流經(jīng)該對(duì)電很的泄漏電流值之比。 |
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R=U/I技術研究，常用單位：（MΩ）兆歐 |
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10KV系列絕緣電阻測(cè)試儀選型及功能對(duì)照表
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產(chǎn)品型號(hào) |
MIT1020/2 |
S1-1052/2 |
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絕緣電壓測(cè)試范圍 |
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50~10,000V（可步進(jìn)調(diào)節(jié)） |
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絕緣測(cè)試 |
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絕緣電阻測(cè)試顯示范圍（很大顯示數(shù)字讀數(shù)） |
35 T Ω |
35 T Ω |
35 T Ω |
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絕緣電阻測(cè)試顯示范圍（很小顯示數(shù)字讀數(shù)） |
10 k Ω |
10 k Ω |
10 k Ω |
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絕緣電阻測(cè)試顯示范圍（很大顯示模擬讀數(shù)） |
1 T Ω |
1 T Ω |
1 T Ω |
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絕緣電阻測(cè)試顯示范圍（很小顯示模擬讀數(shù)） |
100 k Ω |
100 k Ω |
100 k Ω |
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功能 |
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很大輸出電流 |
5mA |
5mA |
5mA |
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短路電流 |
3mA |
5mA |
5mA |
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抗干擾抑制 |
2mA |
2mA |
4mA |
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自動(dòng)進(jìn)行試品IR泄漏電流測(cè)試 |
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自動(dòng)測(cè)量絕緣電阻 |
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DAR吸收比測(cè)試（介電吸收率） |
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PI 很化指數(shù)測(cè)試 |
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SV 步進(jìn)電壓（跨步電壓）測(cè)試 |
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DD 測(cè)試 （介質(zhì)放電）測(cè)量 |
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內(nèi)置定時(shí)器器 |
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內(nèi)置32KB存儲(chǔ)器 |
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顯示 |
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數(shù)字和模擬雙重顯示 |
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顯示測(cè)試電壓 |
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顯示試品充電時(shí)間 |
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顯示充電電流 |
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顯示時(shí)間 |
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▲絕緣電阻測(cè)試儀內(nèi)置五種可設(shè)置工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)絕緣測(cè)試程序重要的，可實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)測(cè)試，提供全部分析結(jié)果：
▲絕緣電阻測(cè)試儀外殼由硬塑聚炳烯制造姿勢，由于在生產(chǎn)過(guò)程中經(jīng)過(guò)特殊處理相互融合，因此特別堅(jiān)固耐用，而且輕巧便于攜帶綠色化，符合IP65標(biāo)準(zhǔn)不同需求。
